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[会议论文] 作者：邢玉梅;陶凯;俞跃辉;宋朝瑞;郑志宏;,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
采用离子束辅助增强沉积系统(IBED)在SIMOX SOI顶层硅上生长氧化铪薄膜,随后分别采用O或N气氛下迅速退火以及N气氛下炉管退火,利用掠角X射线衍射技术(GAXRD)考察了退火对氧化...
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