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[期刊论文] 作者：邹吕凡,王占国,
来源：半导体学报 年份：1997
用ＧＳＭＢＥ技术在国内首次研究了应变Ｓｉ１－ｘ Ｇｅｘ／Ｓｉ异质结材料的生长，并用Ｘ射线双晶线双晶衍射技术对样品进行了测试分析，对于Ｓｉ０．９１Ｇｅ０．０９和Ｓｉ０．８６Ｇｅ０．１４单层，其半宽度ＦＷＨＭ分别为１００〃和２０２〃，对于Ｓｉ０．８９Ｇｅ０．１１／Ｓｉ多量子阱，其卫星峰多达１５个以上，三种样品中......
[期刊论文] 作者：邹吕凡,王占国,
来源：半导体学报 年份：1996
作者首次用Ｘ射线双晶衍射技术对注入Ａｓ＾＋的Ｓｉ０．５７Ｇｅ０．４３合金的晶格损伤消除和应变驰豫进行了研究，并与未注入Ａｓ＾＋的Ｓｉ０＼５７Ｇｅ０＼４３合金的应变驰豫进行了比较。结表明，退火后，注入Ａｓ＾＋的 Ｓｉ１－ｘＧｅｘ外延层中的应变分布不同于未注入......
[期刊论文] 作者：邹吕凡,王占国,
来源：半导体学报 年份：1996
基于能量最小近氦模型，研究了应变异质结外延材料，中产生了Ｆｒａｎｄ－Ｒｅａｄ源以释放失配能力所需ＧｅＳｉ合金缓冲层的厚度，对ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ进行了具体计算，其结果表明：产生Ｆｒａｎｋ－Ｒｅａｄ源时缓冲层厚度要比临界厚度大得多，Ｌｍｉｎ＝１３００Ａ是钉扎点间......
[期刊论文] 作者：邹吕凡,姚凯伦,
来源：华东交通大学学报 年份：1993
使用穆斯堡尔谱仪研究了奥—贝球铁。结果表明,奥氏体+上贝氏体基体组织的球铁中,存在与α—Fe非常相似的贝氏体铁素体;结果还表明,大量的碳化物是不存在的。...
[会议论文] 作者：邹吕凡,王占国,
来源：第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：1997
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[期刊论文] 作者：邹吕凡,王占国,范缇文,
来源：半导体学报 年份：1996
基于能量最小近似模型，研究了应变异质结外延材料中，产生Ｆｒａｎｋ－Ｒｅａｄ源以释放失配应力所需ＧｅＳｉ合金缓冲层的厚度．对ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ进行了具体计算，其结果表明：产生Ｆｒａｎｋ－Ｒｅａｄ源时缓冲层厚度要比临界厚度大得多，Ｌｍｉｎ＝１３００Ａ是钉扎点间的......
[期刊论文] 作者：邹吕凡,姚凯伦,周孙选,孙尧卿,谢中维,
来源：应用科学学报 年份：1989
本文测定和分析了奥-贝球铁的穆斯堡尔谱.结果表明,在应变过程中,残留奥氏体向贝氏体转变;应变量越大,转变量越多;残留奥氏体量的减少值与贝氏体量的增加值相等.对最大应变量...
[期刊论文] 作者：邹吕凡,王占国,孙殿照,张靖巍,李建平,孔梅影,林兰英,
来源：半导体学报 年份：1997
用GSMBE（GasSourceMolecularBeamEpitaxy）技术在国内首次研究了应变Si1-xGex／Si异质结材料的生长．并用X射线双晶衍射技术对样品进行了测试分析．对于Si(0.91)Ge(0．09)和Si(0.86)Ge(0...
[期刊论文] 作者：邹吕凡,王占国,孙殿照,何沙,范缇文,刘学锋,张靖巍,
来源：半导体学报 年份：1996
用二次离子质谱对Ａｓ＋注入Ｓｉ１－ｘＧｅｘ的快速退火行为进行了研究，Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样品中Ｇｅ组分分别为ｘ＝０．０９，０．２７和０．４３，Ａｓ注入剂量为２×１０＾１６ｃｍ＾－２，注放能量为１００ｋｅＶ，快速退火温度分别为９５０℃和１０５０℃，时间均为１８秒，实验结果表明，Ｓｉ２－ｘＧｅｘ样品，Ａｓ浓度分布呈组分密切相关......
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