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[期刊论文] 作者：尤伟,徐元森,郑养鉥,
来源：半导体学报 年份：1988
本文作者发现一个新的物理现象:HF具有很强的增强氧化功能,微量HF气体(几百-几千ppm)可以成十倍地提高硅氧化速率.从而提出一种硅的低温氧化工艺,即在800℃的低温下掺HF干氧...
[期刊论文] 作者：郑养鉥,方申庆,陈学良,杨华丽,,
来源：微电子学与计算机 年份：1988
本文介绍了在研制16位微处理机Z8000CPU电路中,采用工艺模拟与实测相结合的方法,研究E/D MOS阈值电压与硼、砷注入能量和剂量间的关系及其相互影响.结果表明,工艺模拟计算值...
[期刊论文] 作者：金庆辉,陈继锋,赵建龙,郑养鉥,徐元森**,,
来源：黑龙江科技学院学报 年份：2001
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7...
[期刊论文] 作者：许康,刘远华,朱荣锦,周炘祥,郑养鉥,徐元森,
来源：应用科学学报 年份：1990
采用最新CMOS VLSI技术研制成了新一代高速逻辑电路——2μm硅栅CMOS逻辑74AC系列,其运行速度、最高频率和负载能力均达到甚至超过先进的第三代TTL系列74ALS,而仍保持CMOS IC...
[期刊论文] 作者：郑养鉥,张敏,凌栋忠,吴璘,顾惠芬,郑庆云,邱斌,
来源：半导体学报 年份：1993
采用双层金属布线可以提高集成电路的集成密度、集成度和速度。本文报道了双层金属布线工艺技术成功地应用于制造标准3μm硅栅CMOS 500门、1200门、2000门多种门阵列专用大规...
[期刊论文] 作者：沈国雄,郑养鉥,蔡根寿,顾惠芬,龚国忠,郑庆云,
来源：微电子学与计算机 年份：1986
CMOS工艺将成为VLSI电路的主流.本文所介绍的我们研制成功的3微米硅栅高速CMOS逻辑电路工艺;是在八十年代初国外刚开发成功推出的产品.该工艺开发的CC74HC系列电路.因采用3微...
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