搜索筛选:
搜索耗时0.0357秒,为你在为你在61,042,061篇论文里面共找到 8 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：郝茂盛,王玉田,梁骏吾,
来源：中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学) 年份：1995
利用X射线衍射动力学理论和位错的小角晶界模型,分析了GaAs/Si外延层中位错对X射线双晶衍射摇摆曲线的影响,认为GaAs/Si外延层并不是严格取向一致的完整单晶膜,而是存在着许...
[期刊论文] 作者：范曼宁,张国义,郝茂盛,陈云峰,,
来源：光电子技术 年份：2011
研究开发了一款高亮度液晶显示用117 cm直下式背光模组,光源采用中功率高显色指数的LED,外加直下式用发散透镜结构,背光模组的混光距离为22mm,中心亮度最高可达到26 000 cd/m...
[期刊论文] 作者：杨柳滨,江素华,郝茂盛,李越生,
来源：半导体技术 年份：2009
化合物半导体的组分与膜厚等是光电子器件工艺监控中的关键工艺参数，因为这些参数直接影响着器件的光学和电学等性能。介绍了通过分光光度法和Forouhi．Bloomer离散方程相结合的...
[期刊论文] 作者：范曼宁,张国义,郝茂盛,陈云峰,,
来源：液晶与显示 年份：2012
开发了一款用于半户外液晶显示的117cm(46in)直下式背光结构,采用中功率、高显色指数的LED光源,在不使用发散透镜的情况下,使得光源阵列的混光距离在25mm以内,中心亮度可达到...
[期刊论文] 作者：邓俊静,齐胜利,陈志忠,田朋飞,郝茂盛,张国义,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
采用了不同条件的等离子体(O2,Cl2)对p-GaN样品进行刻蚀,然后通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、阴极荧光谱(CL)、光致发光光谱(PL)、电流-电压(I-V)等方法详细研究了等离子体刻蚀对p-GaN表面改性及接触的影响。研究发现：经O2等离子体刻蚀后,样品......
[期刊论文] 作者：殷录桥,张雪松,任开琳,张楠,郝茂盛,李春亚,张建华,
来源：光学学报 年份：2020
本文设计了一款300μm的蓝绿光的微型发光二极管并进行了点亮，通过TCAD仿真对10μm、38μm、100μm和300μm的不同尺寸的Micro-LED进行模拟仿真，探究了Micro-LED的小尺寸效应，发现随着Micro-LED尺寸的减小，开关损耗随之增加。因此，针对提高小尺寸Micro-LED单点像素的......
[期刊论文] 作者：齐胜利, 陈志忠, 潘尧波, 郝茂盛, 邓俊静, 田朋飞, 张国,
来源：半导体技术 年份：2008
...
[期刊论文] 作者：齐胜利,陈志忠,潘尧波,郝茂盛,邓俊静,田朋飞,张国义,颜建锋,朱广敏,陈诚,李士涛,,
来源：半导体技术 年份：2008
大功率InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管在大注入电流下,载流子泄漏而引起的效率下降问题是目前限制大功率发光二极管光电特性及其应用的突出问题。本文通过在p型GaN和InGaN/...
相关搜索：
