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[学位论文] 作者：郝达兵,
来源：东南大学 年份：2006
微波PIN二极管是一种高阻本征区夹于P型和N型区之间的半导体二极管，是一种重要的微波控制器件，是各类微波开关、衰减器、移相器、限幅器、调制器等的核心器件，在相控阵雷达、卫......
[期刊论文] 作者：夏牟,郝达兵,,
来源：电子与封装 年份：2006
文章介绍了RF MEMS的基本概念、基本特征与关键工艺技术。文章在介绍了RF-MEMS元器件的基础上，对RF MEMS与MMIC进行了比较，分析了RF MEMS需解决的重点问题。最后对RF MEMS的发...
[期刊论文] 作者：钱刚,郝达兵,顾卿,,
来源：半导体技术 年份：2010
通过建立一种超突变结变容二极管的杂质浓度分布模型,并基于求解一维泊松方程、雪崩击穿条件方程和电阻计算公式,推导了该模型的C-V特性、VBR、RS和Q值,设计了用于分析该模型...
[期刊论文] 作者：姜岩峰,郝达兵,黄庆安,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2005
采用RF辅助加热CVD方法,在76 mm硅衬底上生长了β-SiC薄膜.设备为电容耦合式RF(13.56 MHz)等离子体装置,反应气体为甲烷(CH4);通过控制反应系统内碳原子成核生长的条件,实...
[期刊论文] 作者：杨勇,郝达兵,王玉林,李智群,,
来源：半导体技术 年份：2009
根据超突变结变容二极管设计和工艺特点，报道了利用SILVACO公司工艺模拟软件Athena、器件模拟软件Atlas等完成超突变结变容二极管的几何结构、浓度分布、工艺参数、电学参数等...
[期刊论文] 作者：郝达兵,姜岩峰,黄庆安,王维波,
来源：光电子技术 年份：2003
微电子机械系统(M一定程度的不平面貌,针对这一现象提出了"应力模型",用来解释腐蚀后表面粗糙度出现的物理机制,对表面激活能、腐蚀液激活能等物理概念进行了分析,提出了腐蚀...
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