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[期刊论文] 作者：钟景昌,,
来源：半导体光电 年份：1990
本文介绍了薄膜晶体生长的最新技术--化学束外延(CBE),通过与分子束外延(MBE)和金属有机化学汽相沉积(MOCVD)技术的比较,说明了这一新技术的基本概念,生长动力学以及在半导体...
[期刊论文] 作者：钟景昌,,
来源：半导体光电 年份：1990
本文评述了分子束外延在以 ZnSe 为代表的宽带半导体材料及其超晶格结构研究中的最新进展。介绍了在晶格匹配和不匹配的衬底上分子束外延生长 ZnSe等Ⅱ-Ⅵ族宽带半导体和有关...
[期刊论文] 作者：钟景昌,,
来源：半导体光电 年份：1989
本文介绍了分子束外延技术概况,着重论述了这种技术的理论模型、动力学参数及相应的动力学基础。最后介绍了分子束外延技术在光电子器件方面应用的最新进展。...
[期刊论文] 作者：钟景昌,,
来源：建材与装饰 年份：2014
当今时代，随着经济与科技的发展，建筑市场不断完善，但是由于人为和自然原因，建筑工程施工时的地理环境更加复杂多变，这就对当前建筑工程施工时地基处理有了更高、更为严格的要求，这......
[会议论文] 作者：钟景昌,
来源：第十二届全国激光学术会议 年份：1996
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[期刊论文] 作者：钟景昌,
来源：真空 年份：1984
一、引言 分子束外延是在超高真空条件下,通过热能分子束在处于一定温度下的晶体表面相互作用而形成晶体材料的过程。这既是晶体生长的理论问题,又是一个实际的工艺问题。分...
[期刊论文] 作者：钟景昌,
来源：真空 年份：1985
分子束外延最早是由G.Gunther于1958年提出来的[1]。其实质是一种非平衡条件下的真空沉积。简单说来,就是把要外延的有关材料放在一个开有小孔的加热器中加热蒸发,通过小孔形...
[期刊论文] 作者：钟景昌,
来源：光学学报 年份：1984
本文报道分子束外延生长GaAs-GaxAl(1-x)As双异质结激光器的生长条件.其中包括低温生长的温度-时间循环,欧姆接触电极层的原位生长以及生长后的退火等程序.实验表明,生长过程中采用高纯度的源材料,氮化硼的泻流盒以及生长系统中的低温泵等对降低器件的阈电流密......
[会议论文] 作者：钟景昌,赵英杰,
来源：第八届全国发光学术会议 年份：1998
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[期刊论文] 作者：晏长岭,钟景昌,
来源：中国激光 年份：1999
给出了漏光波导机制在四元系长波长半导体激光器中的一个应用实例。从理论上证明了漏光波导机制在四元系半导体材料中应用的可行性，并设计了相应结构的激光器件；然后由LPE技术......
[会议论文] 作者：钟景昌,黎荣晖,
来源：第十二届全国激光学术会议 年份：1996
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[期刊论文] 作者：晏长岭,赵英杰,钟景昌,
来源：半导体学报 年份：2001
用分子束外延技术 (MBE)生长了以 Ga As/Al As超晶格替代 Alx Ga1 - x As所形成的 P型半导体 /超晶格分布布拉格反射镜 (DBR) .此分布布拉格反射镜的反射谱中心波长为 85 0 n...
[期刊论文] 作者：曾丽娜,赵英杰,钟景昌,,
来源：大气与环境光学学报 年份：2006
研究了AlxGa1-xAs／GaAs材料中高Al组份的AlxGa1-xAs层在400-500℃与水汽发生氧化反应的氧化特性。许多影响因素,如待氧化层厚度、组分、氧化温度、气体流量都不同程度影响氧化...
[期刊论文] 作者：刘文莉,钟景昌,晏长岭,,
来源：发光学报 年份：2006
设计出四次质子注入工艺制备垂直腔面发射激光器（VCSEL）阵列的方法，实现了对阵列中单元器件间的隔离以及对单元器件注入电流限制的分别作用。一方面通过对VCSEL外延片上分布布拉......
[期刊论文] 作者：李林,钟景昌,苏伟,赵英杰,
来源：长春理工大学学报 年份：2003
描述了垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)的结构特点,比较了它与边发射激光器的不同.介绍了VCSELs的历史、现状、发展趋势和应用前景....
[期刊论文] 作者：钟景昌,朱宝仁,黎荣晖,
来源：光学学报 年份：1990
本文针对影响InGaAsP-InP激光器温度特性的各种因素,设计并制备了大光腔(LOC)结构激光器.实验表明,这种结构改善了激光器的温度稳定性,获得了低阈值(宽接触型器件J(th)≈2.5kA/cm~2),高功率(脉冲输出3W)和高特征温度(To=150K)器件.......
[期刊论文] 作者：黎荣晖,赵英杰,晏长岭,钟景昌,
来源：兵工学报 年份：2000
1.55μm半导体激光器有很多突出的优点, 但普通的双异质结激光器功率小, 且对温度很敏感。本文将大光腔结构形式引入1.55μm GaInAsP/ InP半导体激光器中，用液相外延技术研制...
[期刊论文] 作者：张永明, 钟景昌, 路国光, 秦莉,
来源：半导体光电 年份：2005
从InGaAsP单量子阱激光器热效应分析入手,采用自行设计的热封闭系统对808nm InGaAsP单量子阱激光器温度特性进行了研究.实验表明,在23℃～70℃的温度范围内,器件的功率由1.12W...
[期刊论文] 作者：赵英杰,黎荣晖,晏长岭,钟景昌,
来源：半导体光电 年份：2000
GaInAsP/InP系列激光器由于其T0 小 ,且受环境温度影响大 ,所以用一般结构制作阵列器件是很困难的。而采用大光腔 (LOC)结构的激光器 ,其T0 值可达 10 0～ 140K ,单个 1.3μm激...
[期刊论文] 作者：赵英杰,黎荣晖,晏长岭,钟景昌,
来源：长春光学精密机械学院学报 年份：1999
本文介绍堆积式列阵半导体激光器， 着重在ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ 系列激光器。由于它们的Ｔ。小， 受环境温度影响大， 用一般结构制作列阵器件是很困难的。而采用大光腔结构的激光器， 它的Ｔ０ 值可达１００ ～１４０Ｋ， 单个１－３μ......
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