搜索筛选:
搜索耗时0.0431秒,为你在为你在61,042,059篇论文里面共找到 1 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：门慧婕,
来源：北京工业大学 年份：2020
由于电动汽车行业的发展及对高功率器件的需求,传统以硅晶片为基底的器件已经无法满足人们对高功率低能耗的需求;以碳化硅（Si C）为代表的第三代半导体器件的基片材料,具有化学性能稳定、硬度高、耐热性和热导率高等特点,但是价格昂贵。目前Si C硅片的加工方法主要......
相关搜索：
