由于电动汽车行业的发展及对高功率器件的需求,传统以硅晶片为基底的器件已经无法满足人们对高功率低能耗的需求;以碳化硅（Si C）为代表的第三代半导体器件的基片材料,具有化学性能稳定、硬度高、耐热性和热导率高等特点,但是价格昂贵。目前Si C硅片的加工方法主要是金刚石线锯切割法,需要经过切割、打磨、抛光等过程,加工过程复杂,而且切割过程会导致46%的材料损耗,加大了碳化硅晶片的成本;而且加工过程要在液体环境中进行,打磨抛光过程中需要用到化学试剂,还存在严重的环境污染的问题。飞秒激光具有加工精度高、热效应小等优点,已经被广泛应用到基础研究和实际应用中。飞秒激光峰值功率高,可以产生多光子作用,在透明材料上实现干净烧蚀,实现隐形切割。本文通过对飞秒激光与碳化硅作用机理的研究,提出了一种利用飞秒激光隐形切割碳化硅晶片的方法,为了实现圆晶切割目的,我们利用碳化硅晶片进行了飞秒激光与碳化硅作用的实验:将飞秒激光聚焦在Si C晶片表面,通过调整切割速度、激光峰值功率及其他参数对碳化硅晶片进行切割,建立切割速度、激光峰值功率与切割效果的依赖关系,获得使用飞秒脉冲激光器切割碳化硅晶片的最佳参数。同时,通过对切割后刻痕内部拉曼信号的分析与表征,验证了飞秒激光与碳化硅作用的机理,飞秒激光利用多光子吸收效应将单晶碳化硅分解为非晶碳和非晶硅,以此达到切割目的,有效降低了切割过程中的热作用影响。飞秒脉冲激光切割方法能有效降低生产成本,提高晶体切割效率和质量,在硬脆晶体切割中具有广泛的应用前景。