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[期刊论文] 作者：丁李利, 郭红霞, 陈伟, 闫逸华, 肖尧, 范如玉,,
来源：物理学报 年份：2013
基于解析分析对比了大尺寸与深亚微米尺度下静态随机存取存储器(static random access memory,SRAM)单元单粒子翻转敏感性的表征值及引入累积辐照后的变化趋势.同时借助仿真...
[期刊论文] 作者：丁李利,陈伟,郭红霞,闫逸华,郭晓强,范如玉,,
来源：Chinese Physics B 年份：2013
The dynamics of the excess carriers generated by incident heavy ions are considered in both SiO2and Si substrate.Influences of the initial radius of the charge...
[期刊论文] 作者：闫逸华,范如玉,郭晓强,林东生,郭红霞,张凤祁,陈伟,,
来源：核技术 年份：2012
高能重离子在其径迹周围局域空间所沉积的微剂量,足以引起器件特性的永久性退化,导致存储器状态无法改变或器件功能异常等现象。本文综述了此领域的国内外研究进展,基于局域...
[期刊论文] 作者：丁李利,郭红霞,陈伟,范如玉,王忠明,闫逸华,陈雷,孙华波,,
来源：原子能科学技术 年份：2013
由理论公式推导出辐照偏压影响MOS器件总剂量效应宏观电学参数的解析表达,并给出器件仿真结果加以验证。在总剂量效应未达到饱和的情况下,截止态漏电流由辐照偏压和累积剂量...
[期刊论文] 作者：王忠明,闫逸华,陈荣梅,王园明,赵雯,张凤祁,郭晓强,郭红霞,,
来源：原子能科学技术 年份：2015
研制了一套Flash型FPGA的单粒子效应测试系统,其具有片上SRAM/Flash ROM单粒子翻转效应测试、D触发器单粒子效应测试、锁相环与时钟网络单粒子瞬态效应测试、单粒子瞬态脉冲...
[期刊论文] 作者：闫逸华,陈伟,郭红霞,范如玉,邓玉良,郭晓强,丁李利,林东生,张科营,,
来源：核技术 年份：2013
Flash ROM芯片的存储阵列和外围电路均具有较高的辐射易损性,辐射损伤模式多样.为对其辐射敏感电路进行定位和分析,本文采用X射线微束开展局部辐照试验研究.分别研究了存储阵...
[期刊论文] 作者：闫逸华,陈伟,郭红霞,范如玉,邓玉良,郭晓强,丁李利,林东生,张科营,张凤祁,,
来源：核技术 年份：2013
Flash ROM芯片的存储阵列和外围电路均具有较高的辐射易损性,辐射损伤模式多样。为对其辐射敏感电路进行定位和分析,本文采用X射线微束开展局部辐照试验研究。分别研究了存储...
[期刊论文] 作者：王园明,郭晓强,罗尹虹,陈伟,王燕萍,郭红霞,张凤祁,张科营,王忠明,丁李利,闫逸华,赵雯,肖尧,
来源：强激光与粒子束 年份：2013
基于蒙特卡罗软件Geant4，探讨质子与硅的库仑散射和核反应及中子与硅的核反应产生反冲原子沉积非电离能量的过程，建立质子和中子在硅中的非电离能量阻止本领计算方法。在此方法中，描述了原子间库仑散射的物理过程，模拟带电粒子与晶格原子之间的屏蔽库仑散射。计算得......
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