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[会议论文] 作者：王淑荣,孟桂苓,阎富兰,
来源：中国电子学会电子产品可靠性与质量管理学会第四届学术年会 年份：1987
在E—B结雪崩击穿后的硅平面晶体管，其小电流下增益将迅速下降。该文测试了硅平面晶体管3DG80和3DG30的电流增益退化率与雪崩电流I[*vav*]和雪崩时间tav之间的关系。采用热退...
[期刊论文] 作者：张为,姚素英,刘艳艳,王涌萍,阎富兰,田莉萍,牛秀文,
来源：微电子学 年份：2001
通过各向异性腐蚀硅杯实验,研究了四甲基氢氧化铵(TMAH)腐蚀液的特性,包括硅(100)面腐蚀速率与溶液浓度、温度的关系,不同腐蚀条件下硅杯的表面状况,并确定了制作硅杯的最佳...
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