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[期刊论文] 作者：张顾万,龙飞,阙蔺兰,
来源：半导体光电 年份：2002
叙述了采用LPCVD系统淀积多晶硅薄膜的机理,分析了在淀积多晶硅薄膜过程中引起发雾的因素,指出了保持LPCVD系统的洁净能有效消除在淀积多晶硅薄膜过程中出现的发雾现象....
[期刊论文] 作者：龙飞,廖乃镘,向华兵,罗春林,阙蔺兰,李仁豪,,
来源：半导体光电 年份：2013
多晶硅表面对于电荷耦合器件(CCD)的制作非常重要。采用扫描电子显微镜(SEM)和电学分析技术研究了低压化学气相(LPCVD)法淀积的多晶硅形貌对击穿特性的影响。研究结果表明,减...
[期刊论文] 作者：钟四成,廖乃镘,罗春林,阙蔺兰,寇琳来,伍明娟,,
来源：半导体光电 年份：2017
CCD多晶硅交叠区域绝缘介质对成品率和器件可靠性具有重要的影响。采用扫描电子显微镜和电学测试系统研究了CCD栅介质工艺对多晶硅层间介质的影响。研究结果表明:栅介质工艺...
[期刊论文] 作者：廖乃镘,赵志国,阙蔺兰,向华兵,李贝,李仁豪,
来源：半导体光电 年份：2015
采用表面光电压技术研究了低压化学气相淀积(LPCVD)法氮化硅淀积工艺的Fe离子沾污。研究表明, 在氮化硅淀积工艺中, NH3和SiH2Cl2气体是Fe离子沾污的主要来源。通过对氮气进一步纯化处理、提高NH3和SiH2Cl2气体纯度和更换传输气体的金属管路等措施, 氧化工艺Fe......
[期刊论文] 作者：廖乃镘,刘昌林,张明丹,寇琳来,罗春林,阙蔺兰,
来源：半导体光电 年份：2019
电荷耦合器件(CCD)多晶硅交叠区域绝缘介质对成品率和器件可靠性具有重要的影响。将氮化硅和二氧化硅作为CCD多晶硅层间复合绝缘介质, 采用扫描电子显微镜(SEM)和电学测试系统研究了多晶硅层间氮化硅和二氧化硅复合绝缘介质对CCD多晶硅栅间距和多晶硅层间击穿电......
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