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[期刊论文] 作者：陆剑秋,,
来源：工会理论研究.上海工会管理干部学院学报 年份：2001
社区工会借助志愿者来延长自己的工作手臂、拓展工作的阵地是构建上海特大型城市社区工会工作的一种新的尝试,本文就社区工会工作志愿者形成的内在逻辑、服务的目标方向和发...
[期刊论文] 作者：陆剑秋,
来源：电器工业 年份：2001
入世在即,将把我国进一步融入世界经济体系,我国电力电子行业也将置身世界大市场之中,经受竞争与发展的考验.我国电力电子行业的生存与发展,取决于企业的核心竞争力.核心竞争...
[期刊论文] 作者：陆剑秋,
来源：上海会计 年份：1999
会计、审计理论界历来对会计、审计本质问题的争论很多。会计有“管理活动论”、“信息系统论”等之争。审计过去有“查帐论”、“经济监督论”等之争，现在又有人提出了“外在......
[期刊论文] 作者：陆剑秋,
来源：现代企业 年份：2007
党中央、国务院高度重视装备制造业的发展，直流输电设备是国家确定的重大技术装备自主化领域之一。近年来，西安电力电子技术研究所以振兴我国装备制造业为己任，依托三峡外送、西电东送等工程，努力自主创新，注重引进国外先进技术并消化吸收再创新，为国家重点工程研究制......
[期刊论文] 作者：吴湘,陆剑秋,,
来源：中国卫生经济 年份：1988
【正】 镇江市京口区康复、痔科、小儿麻痹矫形3所集体医院,经过划小核算单位和建立专科单一型体制改革,取得较好的成效。从1987年开始又进行新的改革,就是按照集体所有“两...
[期刊论文] 作者：王正鸣,陆剑秋,,
来源：电力电子技术 年份：2009
设计制造了5英寸7.5kV光控晶闸管。采用中心对称P型变掺杂技术设计制造光敏区时,在从中心到阴极边界的区域内集成化引入了过电压及电压高上升率保护性触发功能,以及径向开通...
[期刊论文] 作者：王正鸣,陆剑秋,,
来源：电力电子技术 年份：2008
经过对各种高压电力半导体器件实用模型的分析，设计了长、短基区最薄，P区径向变掺杂的一种双负角6英寸晶闸管，该晶闸管具有在获取一定高电压的同时能获取最大通态电流、最佳协调......
[会议论文] 作者：王正鸣;陆剑秋;,
来源：中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛 年份：2009
在当前硅材料的直径、电阻率及其径向分布均匀性的最高水平基础上，提出运用以表面反型为判据的低浓度掺杂分布、电压片厚比、长基区临界薄、P型径向变掺杂等措施设计制造具有......
[会议论文] 作者：孟庆宗;陆剑秋;,
来源：中国电工技术学会电力电子第六次全国学术会议 年份：1997
以ＮＴＤ硅单晶片，采用多重扩散、光刻、电子束镀膜、喷射腐蚀等工艺，制成Φ１００ｍｍ５０００￣５５００Ｖ特大功率晶闸管。它具有低的通态压降，高ｄｖ／ｄｔ额定值以及灵敏的控制特性，由于采用了多支脉门极－阴极图形结构，动态性......
[期刊论文] 作者：李守智,陆剑秋,等,
来源：电力电子技术 年份：2002
介绍了一种电法勘探用逆变电源的主电路。该电路在一般的电容换相型电流逆变电路的基础上，通过引入一对转换晶闸管即可满足电法勘探对电流波形分别为“两电平”和“三电平”工......
[期刊论文] 作者：李守智,陆剑秋,等,
来源：电力电子技术 年份：2002
提出一种采用电压前馈复合控制与谐波消除相结合的控制方案，并应用于三相单管Boost型PWM整流电路。分析了其原理，给出了实验结果。...
[期刊论文] 作者：李守智, 潘永湘, 陆剑秋,,
来源：电力电子技术 年份：2002
提出一种采用电压前馈复合控制与谐波消除相结合的控制方案 ,并应用于三相单管Boost型PWM整流电路。分析了其原理 ,给出了实验结果。...
[期刊论文] 作者：金东海, 杨耕, 陆剑秋, 蔚红旗,
来源：电力电子技术 年份：2005
近年,国际电工委员会(IEC)和我国的有关标准委员会正在对电机及交流拖动系统的标准进行修订.本文就这些修订的动态作一说明....
[期刊论文] 作者：李守智,余健明,陆剑秋,
来源：电力电子技术 年份：2004
介绍了一种电法勘探用逆变电源的主电路.该电路在一般的电容换相型电流逆变电路的基础上,通过引入一对转换晶闸管即可满足电法勘探对电流波形分别为"两电平"和"三电平"工作方...
[期刊论文] 作者：陕西省政府参事室课题组, 高勇, 陆剑秋,,
来源：西部大开发 年份：2019
半导体产业是国民经济和社会发展的战略性、基础性和先导性产业,是培育发展战略性新兴产业、推动信息化和工业化深度融合的核心与基础,是转变经济发展方式、调整产业结构...
[会议论文] 作者：张昌利,金银东,金相哲,宋根浩,金南均,王正鸣,陆剑秋,张建平,李建华,朱佳政,杨丙凡,胡选文,
来源：中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 年份：2002
采用3.7MeV-5.9MeV质子辐照对500A、1600V快速晶闸管实现了局部少子寿命的控制.对质子辐照在器件中的缺陷浓度进行了TRIM模拟.对通态电压V和关断时间t的折衷关系进行了研究,...
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