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[期刊论文] 作者：张国强,陆妩,
来源：半导体学报 年份：1997
对注Ｆ ＭＯＳＦＥＴ和ＣＣ４００７电路进行了＾６０Ｃｏ－γ辐照和退火行为的分析研究，结果表明：栅介质中Ｆ的引入，能明显减小ＣＣ４００７电路辐射感生阈电压的漂移和静态漏电流的增长；抑制高温贮藏引起的ＣＣ４００７电路漏电流的退化，减小辐射......
[期刊论文] 作者：张国强,陆妩,
来源：半导体学报 年份：1999
对含Ｎ薄栅ＭＯＳ电容进行了＾６０Ｃｏγ辐照和１００℃恒温退炎行为的分析研究，结果表明：栅介质中Ｎ的引入，能明显抑制辐射感生Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态的产生，减少初始固定正电荷和界面态，减少辐照后界面陷阱的退火速率。用......
[期刊论文] 作者：郭旗,陆妩,
来源：核技术 年份：2000
为了从内部研究ＣＭＯＳ运算放大器的电离辐射损伤机理，用由计算机控制的运算放大器内部单元电路损伤测试系统测量运放电路整体性能参数在电离辐射环境中的变化，观察电路内部各功能单元......
[期刊论文] 作者：郭旗,陆妩,
来源：核技术 年份：1998
对国产加固５４ＨＣ０４高速ＣＭＯＳ电路进行了不同剂量率的辐照响应和室温退火特性研究。探讨了５４ＨＣ０４电路在不同剂量率辐照下的损伤机理和失效模式的差异及其对高速ＣＭＯＳ电路在辐射环境中应用可靠性的影响......
[期刊论文] 作者：陆妩,郭旗,
来源：核技术 年份：1997
对ＣＭＯＳ运算放大器ＬＦ７６５０进行了１ＭｅＶ电子的电离辐照实验，研究了ＬＦ７６５０的总剂量辐射响应牧场生和抗总剂量辐射水平，并通过研究其照后在室温和１００℃高温条件下电离辐照敏感参数随时间的变化关系，分析了在电......
[期刊论文] 作者：陆妩,任迪远,
来源：核技术 年份：1999
介绍了ＬＦ７６５０ ＣＭＯＳ运算放大器在＾６０Ｃｏγ射线，１ＭｅＶ电子了４，７，３０ＭｅＶ不同能量质子辐照环境中的响应规律及＾６０Ｃｏγ射线和１ＭｅＶ电子辐照损伤在室温和１００℃高温条件下的退火特性，探讨了引起ＣＭＯＳ运放在不同辐射环境中辐照响应出现差......
[期刊论文] 作者：陆妩,任迪远,
来源：半导体学报 年份：1998
本文介绍了ＯＰ－０７双极运算放大器的６０Ｃｏγ射线、不同能量电子和质子的辐照试验以及６０Ｃｏγ和电子辐射损伤在室温和１００℃高温条件下的退火效应，揭示了双极运算放大器电参数对不同射线的辐照响应规......
[期刊论文] 作者：陆妩,任迪远,
来源：核电子学与探测技术 年份：1997
ＣＭＯＳ运算放大器的质子和γ辐照效应陆妩任迪远郭旗余学锋严荣良（中国科学院新疆物理研究所，乌鲁木齐，８３００１１）本文主要研究了ＬＦ７６５０ＣＯＭＳ运放电路在４、７、３０ＭｅＶ质子及６０Ｃｏγ两种不同辐射环境中的响应特性及变化规律......
[期刊论文] 作者：陆妩,胡浴红,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2000
研究了干氧和氢氧合成两种不同工艺ＣＭＯＳ运算放大器电路的电离辐照响应特征和变化规律。结果显示，虽然对单管特性而言，干氧工艺具有较强的掏辐射感生氧化物电荷和界面态增长的能力，但......
[期刊论文] 作者：陆妩,赵元富,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2000
介绍了确定 CMOS运算放大器各级工作点的恒流源偏置电路随辐照总剂量变化的响应特征及其辐照敏感性对运放整体性能参数的影响规律。结果表明 ,恒流源特性的衰降对电参数的变...
[期刊论文] 作者：陆妩,任迪远,
来源：半导体技术 年份：1997
对ＴＴＬ双极运算放大器的ＯＰ０７进行了＾６０Ｃｏγ和１ＭｅＶ及１．５ＭｅＶ电子电离辐实验，研究了ＯＰ０７的电离辐射响应特性和抗总量辐射水平，并通过研究其电离辐照第三参数辐照后在室温和１００℃高温条件下随时间的变化关系，分析了......
[期刊论文] 作者：陆妩,任迪远,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1998
研究了ＬＦ７６５０ＣＭＯＳ运算放大器电路在１ＭｅＶ电子和＾６０Ｃｏγ两种不同辐射环境中的响应特性及变化规律，并通过对其电离辐照敏感参数，辐照后在室温和１００℃高温条件下，随时间变化关系的分析，探讨了引起电参数失效......
[期刊论文] 作者：陆妩,任迪远,
来源：核技术 年份：1996
研究了ＯＰ－７双极运算放大器在８ＭｅＶ，１２ＭｅＶ两种能量下的质子辐照效应及损伤特性，并通过对电路内部的损伤分析，探讨了各敏感参数和的变化规律，结果表明，由位移损伤和电离辐射损伤引起的晶体管增益衰......
[期刊论文] 作者：任迪远,陆妩,
来源：核技术 年份：1993
利用用于电离辐射效应研究的运算放大器计算机测试系统以及测试分析和数据处理软件对十几种运算放大器进行了~(60)Coγ射线、1.5MeV电子的电离辐射损伤试验及其室温和加温退...
[期刊论文] 作者：陆妩,任迪远,
来源：上海微电子技术和应用 年份：1996
本文报道了ＬＦ７６５０ ＣＭＯＳ运算放大器在４Ｍｅｖ、７Ｍｅｖ和３０Ｍｅｖ三种不同质子能量辐照下的损伤特性和变化规律，并通过对其损伤机理的分析，探讨了引起电参数失效的机理。结果表明，由于质子辐照引起多数载波子迁移......
[会议论文] 作者：陆妩;任迪远;,
来源：中国电子学会可靠性分会第八届学术年会 年份：1996
该文对ＴＴＬ双极运算放大器ＯＰ０７进行了〈’６０〉Ｃｏγ和１ ＭｅＶ电子电离辐照实验，研究了ＯＰ０７运放的电离辐射响应特性和抗总剂量辐射水平，并通过研究其电离辐照敏感参数辐照后在室温和１００℃高温条件下随时间......
[会议论文] 作者：陆妩;任迪远;,
来源：第七届全国可靠性物理学术讨论会 年份：1997
该文主要研究了ＬＦ７６５０ ＣＭＯＳ运算放大器电路在１ＭｅＶ电子和〈’６０〉ＣｏΥ两种不同辐射环境中的响应特性及变化规律，并通过对其电离辐照敏感参数辐照后在室温和１００℃高温条件下随时间的变化关系的分析，探......
[期刊论文] 作者：陆妩,王明刚,等,
来源：半导体学报 年份：2001
介绍了干氧和氢氧合成两种不同栅氧化方式下制作的N沟输入CMOS运算放大器电路的电离辐射响应特征，并通过对电路内部单管特性损伤分析的比较，探讨了引起两者辐照敏感性差异的原......
[期刊论文] 作者：王思源,孙静,陆妩,
来源：辐射研究与辐射工艺学报 年份：2021
针对目前国内使用的P型金属氧化物半导体(Positive channel metal oxide semiconductor,PMOS)剂量计存在的灵敏度较低的问题,在对PMOS剂量计探头工作电路原理进行深入研究的...
[会议论文] 作者：张国强;余学锋;陆妩;范隆;,
来源：第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 年份：1999
对含F MOS结构的抗电离辐射特性和机理进行了系统研究。其结果表明：F减少工艺过程引入栅介质的E中心缺陷和补偿Si/SiO界面Si悬挂键的作用，将导致初始氧化物电荷和界面态密度的...
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