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[期刊论文] 作者：陆素先,向超,钟传杰,
来源：电子设计工程 年份：2019
本文对半超结逆导IGBT这一新型结构的导通机理进行分析。通过SilvacoTCAD软件仿真验证,半超结RC-IGBT的耐压能力、正反向导通能力都明显优于传统RC-IGBT。详细分析了电荷不平...
[期刊论文] 作者：王森, 陆素先, 钟传杰, 向超,,
来源：电子测试 年份：2019
在现代功率器件中,为了提高功率器件的击穿电压,降低导通电阻,超结结构得到广泛的应用。由于设计要求或是降低J-FET效应等原因,在功率器件的生产中,超结区中的P柱和N柱,并不...
[期刊论文] 作者：王森,向超,陆素先,钟传杰,
来源：电子设计工程 年份：2019
在现代功率器件中,为了提高功率器件的击穿电压,降低导通电阻,超结结构得到广泛的应用。为了降低器件工作时的导通电阻,增大电流的流经面积,降低J-FET效应,在功率器件的制造...
[期刊论文] 作者：陆素先,向超,王森,钟传杰,
来源：微电子学 年份：2019
首次对半超结RC-TIGBT与传统RC-TIGBT的正向导通机理进行了比较研究.通过Silvaco TCAD软件仿真,模拟研究了Ydrift值、P-集电区宽度与N+短路区宽度等关键参数对Snapback效应的...
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