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[期刊论文] 作者：陈培毅,王瑞忠,
来源：半导体技术 年份：1997
对ＭＢＥ生长的ＧｅｘＳｉ１－ｘ使合金膜用Ｒａｍａｎ光谱分析了其中的组分和应力，发现较厚的ＧｅＳｉ膜应变较小，说明随着膜厚的增加，合金膜内原排列发生驰豫。...
[会议论文] 作者：陈培毅;王瑞忠;,
来源：第五届全国固体薄膜学术会议 年份：1996
对ＭＢＥ生长的Ｇｅｘ Ｓｉ〈，１－ｘ〉合金膜用Ｒａｍａｎ光谱分析了其中的组份和应力，发现较厚的ＧｅＳｉ膜应变较小，说明随着膜厚的增加，合金膜内厚子排列发生了弛豫。２０ｎｍ厚的Ｇｅ〈，０．４〉Ｓｉ〈，０．６〉样品经过ＲＨＴ处理（１０００℃ １０ｓｅｃ），应变减小为原始膜的......
[期刊论文] 作者：陈培毅,王瑞忠,杨景铭,钱佩信,
来源：半导体技术 年份：1997
对ＭＢＥ生长的ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金膜用Ｒａｍａｎ光谱分析了其中的组分和应力，发现较厚的ＧｅＳｉ膜应变较小，说明随着膜厚的增加，合金膜内原子排列发生了弛豫。２０ｎｍ厚的Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６样品经过ＲＨＴ处理（１０００℃、１０ｓ），应变减小为原始膜的１／４～１／５。说明退火后膜......
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