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[学位论文] 作者：陈昭祥,,
来源：电子科技大学 年份：2007
GaN HEMT器件表现出良好的微波功率特性,在高频及大功率领域有广阔的前景。但由于GaN HEMT存在电流崩塌及自热等效应,标准的FET模型并不能很准确的模拟GaN HEMT的各种特性,迫...
[学位论文] 作者：陈昭祥,
来源：中国科学院声学研究所 年份：2009
颅内压ICP(intracranial pressure)与颅脑多种重要疾病相关，是神经外科临床和科研的重要观察指标，一直受到神经外科临床和科研人员的重视。颅内压监测技术及其设备至今还在不断...
[期刊论文] 作者：陈昭祥,李平,,
来源：微计算机应用 年份：2009
从临床应用出发,提出了一种新的颅内压监测系统方案——植入式无线颅内压自动监测。该系统基于现代传感器和微电子技术,由体外部分和植入体组成,两部分完全分离,通过射频信号...
[期刊论文] 作者：洪峰,陈昭祥,李平,,
来源：电子技术应用 年份：2010
典型的医用植入装置由体外部分和植入体两部分组成,二者之间通过射频载波传输能量和信息,这与广泛应用的射频识别技术非常相似。本文分析研究了它们在技术和应用层面的特点,提出了一种基于商用RFID技术及其器件实现的医用植入装置双向通信的设计,对于具体实现过......
[会议论文] 作者：陈昭祥,杜江峰,
来源：四川省电子学会半导体与集成技术专委会2006年度学术年会 年份：2006
本文提出了一种基于GaN HEMT直流特性的宏模型结构,考虑了GaN HEMT的栅极泄漏电流,并采用行为级模型来处理非线性电阻,详细介绍了宏模型建立的整个流程,并将此模型的仿真结果...
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