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本文提出了一种基于GaN HEMT直流特性的宏模型结构,考虑了GaN HEMT的栅极泄漏电流,并采用行为级模型来处理非线性电阻,详细介绍了宏模型建立的整个流程,并将此模型的仿真结果与实验数据进行比较,验证了模型的精度。
一种基于GaN HEMT直流特性的SPICE宏模型
【摘 要】
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本文提出了一种基于GaN HEMT直流特性的宏模型结构,考虑了GaN HEMT的栅极泄漏电流,并采用行为级模型来处理非线性电阻,详细介绍了宏模型建立的整个流程,并将此模型的仿真结果
【机 构】
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电子科技大学,微电子与固体电子学院,成都,610054
【出 处】
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四川省电子学会半导体与集成技术专委会2006年度学术年会
【发表日期】
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2006年期
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