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[期刊论文] 作者：陶术鹤,,
来源：天津科技 年份：2015
在硅片倒角过程中,影响到硅片边缘质量的因素很多,主要是主轴精度、Y轴端跳、砂轮金刚石密度等。设备参数中切入量对倒角边缘质量影响也很大,切入量越小,边缘质量越好,硅片边...
[期刊论文] 作者：陶术鹤 张伟才,
来源：中国科技博览 年份：2014
摘要：硅单晶经切割而成为硅片后，其边缘棱角部位容易产生崩边缺口以及裂纹等损伤，对后续工艺过程造成不同程度的影响。进而引入硅片倒角工艺，消除了硅片边缘应力集中区域，减少了后续工艺过程中硅片的破损。 关键词：倒角，面幅，边缘，不对称倒角 分类号：TG233 引言......
[期刊论文] 作者：康洪亮,陶术鹤,张伟才,,
来源：中国新技术新产品 年份：2015
本文通过分析倒角边缘磨削原理,利用不同尺寸的晶圆,不同的倒角吸盘转速,不同甩干程序对晶片进行倒角程序加工并统计其加工时间,进而分析不同加工条件对倒角边缘磨削加工效率...
[期刊论文] 作者：张伟才,赵权,陶术鹤,陈建跃,
来源：微纳电子技术 年份：2013
在厚层硅外延生长过程中,由衬底硅片边缘引起的滑移线是典型的缺陷.研究了硅片的边缘损伤和倒角面幅宽度,研究中发现,适当增大倒角去除量,有助于消除由于单晶滚磨造成的边缘...
[期刊论文] 作者：康洪亮 张伟才 陈建跃 陶术鹤,
来源：中国科技博览 年份：2014
[摘 要]本文对硅片倒角过程中三个最重要的因素；磨轮转速、硅片转速和圈去除量一一进行了原理分析，并倒角机进行了试验得到了比较合理的组合方案。 [关键词]硅片；倒角；磨轮转速；硅片转速；圈去除量 中图分类号：TG303.04 文献标识码：A 文章编号：1009-914X（2014）35-0039......
[期刊论文] 作者：王云彪,佟丽英,杨召杰,陶术鹤,
来源：电子工艺技术 年份：2018
随着硅基氮化镓外延技术的不断突破,其专用的硅衬底材料的国产化问题日益凸显。分析了国产片外延后边缘滑移线密集和裂片问题,提出了硅片边缘控制和机械强度控制参数和技术指...
[期刊论文] 作者：杨洪星,范红娜,刘玉岭,陶术鹤,何远东,
来源：中国电子科学研究院学报 年份：2017
异质外延在LED、高性能光电集成电路（OEIC）等多种领域存在广泛应用。Si基衬底由于具有优良性能,广受关注。Si基衬底异质外延时,由于Si与异质外延层之间的晶格失配和热失配,一般...
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