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[会议论文] 作者:陈健,祝靖,张允武,孙伟锋,顾力晖,张森, 来源:2013年全国博士生学术论坛——电子薄膜与集成器件 年份:2013
本文基于600V体硅外延BCD工艺,完成了一款浮栅驱动芯片的设计.为了增强隔离结构的可靠性,本文提出了一种新型的P型阱、N型阱交替排列的隔离结构,该隔离结构耐压为740V,相对于传统结构增加了7%,当LDMOS漏端电位大于1V,且漏端与高侧电压差为15V时的漏电远小于lμA,......
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