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[期刊论文] 作者：马婷婷,马书嫏,张爱军,,
来源：电子器件 年份：2017
随着MEMS技术的飞速发展,可靠性问题逐渐成为MEMS器件在军事和商业中应用的重要阻碍。结合器件的工作环境,分别从高温、高温高湿、温度冲击、过电压、压力过载、温湿循环等环...
[期刊论文] 作者：马书嫏,王少荣,张爱军,,
来源：电力电子技术 年份：2013
安全工作区(SOA)是MOSFET器件设计中的一个关键参数。传统CMOS在衬底电流-栅极电压曲线上只出现一个衬底电流峰值,该峰值可直接反映出热载流子注入(HCI)效应最强的位置,因此...
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