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[学位论文] 作者：高芳亮,,
来源：华南理工大学 年份：2016
GaAs系III-V族多结太阳电池具有光电转换效率高、抗辐照性能强、使用寿命长等优点。相比传统的Ga0.5In0.5P/（In）GaAs/Ge结构太阳电池而言,基于GaAs衬底的Ga0.5In0.5P/Ga As/In0...
[学位论文] 作者：高芳亮,
来源：国防科学技术大学 年份：2018
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[学位论文] 作者：高芳亮,
来源： 年份：2011
近年来,在众多低介电材料中,硅基无机-有机杂化材料得到了半导体工业的青睐,其中倍半硅氧烷(Silsesquioxane:SSQ)是能够替代CVD二氧化硅作为绝缘层的低介电常数材料之一。为了克服SEM、TEM及AFM等传统的表征手段对孔径尤其在亚纳米范围时的多孔薄膜形貌表征清晰......
[期刊论文] 作者：李国强,高芳亮,
来源：半导体光电 年份：2012
随着半导体太阳电池制备工艺的发展, 基于GaAs的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体电池光电转换效率不断提高, 是目前世界上最具竞争力的新一代太阳电池, 成为空间太阳电池领域的研究热点。文章详细评述了GaAs基系双结、三结及三结以上太阳电池的研究历程与最新技术发展现状,......
[学位论文] 作者：高芳亮,李国强,
来源：华南理工大学 年份：2018
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[期刊论文] 作者：管云芳,高芳亮,李国强,,
来源：半导体光电 年份：2013
通过介绍蓝宝石衬底上生长氮化铟(InN)单晶薄膜的发展历程,阐述了生长该单晶薄膜的几种方法及生长过程中存在的一些问题和改进措施,说明了生长高质量InN单晶薄膜的有效途径,...
[期刊论文] 作者：高芳亮,管云芳,李国强,
来源：半导体光电 年份：2013
采用射频等离子体分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石(Al2O3)衬底上外延生长了InN薄膜, 在生长之前对其进行不同时间的氮化处理。通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对薄膜的形貌和结构进行了表征, 发现氮化时间小于60min时获得的InN薄膜的晶体结构为多晶且......
[期刊论文] 作者：李景灵,高芳亮,李国强,
来源：半导体光电 年份：2013
在研究新型高效GaAs基三结和四结太阳电池过程中，研究者努力寻找一种既满足能隙约为1eV，同时又与GaAs衬底晶格匹配的半导体材料。通过调节组分，GaInNAs可同时满足上述两个特性，因此GaInNAs被认为是制备新型高效多结GaAs基太阳电池的理想材料。但实际上，制备高晶体质......
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