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[学位论文] 作者：高虹一,,
来源：长春理工大学 年份：2004
作为窄禁带半导体的GaAsSb,是一种性能优良的红外光电材料。在合金生长过程中,由于Sb的引入,造成合金内组分不均匀现象,形成局域态,并且对载流子产生束缚,引起局域态发光现象...
[期刊论文] 作者：贾慧民,王彪,高虹一,王登魁,唐吉龙,冯源,李洋,李再金,马,
来源：中国科技论文 年份：2017
为了研究慢速热退火处理对分子束外延生长(MBE)的GaAs0.91 Sb0.09材料晶体质量和发光特性的影响,分别利用XRD及变温光致发光谱对晶体质量及发光特性进行了表征分析.对40 K时G...
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