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为了研究慢速热退火处理对分子束外延生长(MBE)的GaAs0.91 Sb0.09材料晶体质量和发光特性的影响,分别利用XRD及变温光致发光谱对晶体质量及发光特性进行了表征分析.对40 K时GaAs0.91 Sb0.09合金光致发光谱进行分峰拟合,获得3种样品的局域能深度分别为26、31和35 meV.结果表明:退火处理使合金中As、Sb组分互扩散,合金局域能加深,但退火使GaAs0.91 Sb0.09局域态发光比例降低,带边发光的比例提高.