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[学位论文] 作者：魏家行,,
来源：东南大学 年份：2019
碳化硅（SiC）基功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）具有击穿电压高、导通电流大、开关速度快、功率损耗小、高温稳定性好等优点,被认为是最具前景的功率半导体器件之一。......
[期刊论文] 作者：杨翰琪, 刘小红, 吕康, 魏家行, 孙伟锋,,
来源：电子器件 年份：2018
研究了低压pMOS器件热载流子注入HCI(Hot-Carrier Injection)退化机理,分析了不同的栅压应力下漏极饱和电流(Idsat)退化出现不同退化趋势的原因。结合实测数据并以实际样品为...
[期刊论文] 作者：宋海洋, 刘斯扬, 魏家行, 孙伟锋, 朱久桃,,
来源：电子器件 年份：2019
为了优化设计直接覆铜(Direct Bonded Copper,DBC)陶瓷基板的表面覆铜层尺寸,并评估覆铜层的极限电流能力,利用有限元仿真分析方法,研究了不同尺寸的DBC陶瓷基板表面覆铜达到...
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