【摘 要】
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研究了低压pMOS器件热载流子注入HCI(Hot-Carrier Injection)退化机理,分析了不同的栅压应力下漏极饱和电流(Idsat)退化出现不同退化趋势的原因。结合实测数据并以实际样品为
【机 构】
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东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,华润上华半导体有限公司
【基金项目】
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国家自然科学基金项目(61604038);江苏省高校品牌专业建设工程项目
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研究了低压pMOS器件热载流子注入HCI(Hot-Carrier Injection)退化机理,分析了不同的栅压应力下漏极饱和电流(Idsat)退化出现不同退化趋势的原因。结合实测数据并以实际样品为模型进行了器件仿真,研究表明,快界面态会影响pMOS器件迁移率,导致Idsat的降低;而电子注入会降低pMOS器件阈值电压(Vth),导致Idsat的上升。当栅压为-7.5V时,界面态的产生是导致退化的主要因素,在栅压为-2.4V的应力条件下,电子注入在热载流子退化中占主导作用。
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