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[期刊论文] 作者：鲍荣生,
来源：半导体情报 年份：2001
采用 SPC获得影响 Bi CMOS工艺中纵向晶体管电流放大系数 β值波动的因素仅和基区方块电阻相关。进一步采用 SUPREM3工艺模拟得到影响 β波动的重要因素是扩散炉温度。试验结...
[期刊论文] 作者：鲍荣生,,
来源：中国集成电路 年份：2007
本文的射频是指手机工作频率f。=0.9 GHz和1.8 GHz,低电源电压是3～5 V;众所周知,工作频率和特征频率fT密切相关,一般希望f。/fT是10%;现代的多晶硅发射区工艺技术可以控制基区...
[期刊论文] 作者：鲍荣生,,
来源：中国集成电路 年份：2006
本文讨论的SOI(Silicon On Insulator)是BESOI (Bonding and Etch back SOI),由于在SOI材料上制造的集成电路(IC)和常规的体硅IC相比在性能上有许多优点,因此很有发展前途.目...
[期刊论文] 作者：鲍荣生,
来源：微电子学 年份：1999
叙述了以双极型工艺为主体的ＢｉＣＭＯＳ结构中ｐ阱电阻比值非线性的特性及其与芯片合格率的关系。在ｐ阱下面采用埋层，抑制或消除了ＢｉＣＯＭＳ中；ｐ阱结构的寄生效应，从而提高了芯片合格率。......
[学位论文] 作者：鲍荣生,
来源：华东师范大学 年份：2021
低成本、高集成度的CMOS毫米波雷达因其探测范围广、抗干扰性强、高分辨率等优点得到广泛应用。自动驾驶需要毫米波雷达实现长、中、短距离目标的探测。77 GHz雷达因其更大的扫频带宽具备更精确的距离分辨率,可实现自适应巡航中精准、实时的碰撞预警,但77 GHz高......
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