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[期刊论文] 作者：龚义元, 曾月明,,
来源：长江建设 年份：2000
...
[期刊论文] 作者：徐秋霞,龚义元,
来源：半导体学报 年份：1994
本文着重研究了０．６μｍＴｉＳｉ２ＰｏｌｙｃｉｄｅＬＤＤＮＭＯＳ器件工艺技术．用ＲＩＥ刻蚀获得了０．６μｍ严格各向异性的精细结构２分析研究表明ＴＥＯＳＳｉＯ２膜厚ｔｆ、多晶硅栅的剖面倾角θ是影响侧壁宽度Ｗ的重要因素，经优化后可控制Ｗ为０．３０～０．３２μｍ；在Ａｌ与Ｓｉ之间引入一层......
[期刊论文] 作者：徐秋霞,龚义元,
来源：半导体学报 年份：1994
本文着重研究了０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥ ＬＤＤ ＭＯＳ工艺技术，ＴｉＳｉ２的形成采用两步快速热退火及选择腐蚀完成，Ｔｉ膜厚度的最佳选择使ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺与０．２μｍ浅结相容，源／漏薄层电阻为４Ω／□。上述技术已成功地应用于０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥ ＬＤＤ......
[期刊论文] 作者：徐秋霞,龚义元,张建欣,扈焕章,汪锁发,李卫宁,
来源：半导体学报 年份：1994
本文着重研究了０．６μｍＴｉＳｉ２ＰｏｌｙｃｉｄｅＬＤＤＮＭＯＳ器件工艺技术．用ＲＩＥ刻蚀获得了０．６μｍ严格各向异性的精细结构２分析研究表明ＴＥＯＳＳｉＯ２膜厚ｔｆ、多晶硅栅的剖面倾角θ是影响侧壁宽度Ｗ的重要因素，经优化后可控制Ｗ为０．３０～０．３２μｍ；在Ａｌ与Ｓｉ之间引入一层......
[期刊论文] 作者：王启元,林兰英,何自强,龚义元,蔡田海,郁元桓,何龙珠,高秀峰,,
来源：半导体学报 年份：2001
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[期刊论文] 作者：王启元,林兰英,何自强,龚义元,蔡田海,郁元桓,何龙珠,高秀峰,王建华,邓惠芳,
来源：半导体学报 年份：2001
报道了 Φ15 0 m m CMOS硅外延材料的研究开发及集成电路应用成果 ,对 Φ2 0 0 mm P/P-硅外延材料进行了初步探索研究 .Φ15 0 m m P/P+硅外延片实现了批量生产 ,并成功应用...
[会议论文] 作者：王启元,林兰英,何自强,龚义元,蔡田海,郁元桓,何龙珠,高秀峰,王建华,邓惠芳,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
随着集成电路集成度不断提高,主流技术的集成电路已经发展到0.35微米或更小的水平,集成 成电路对硅材料表面晶体完整性、吸杂特性等提出了更高的要求,P/P、N/N结构的硅外延材料,有效消除了硅抛光片表面的晶体原生缺陷(COPS),并具有高效的吸杂能力,更有利于提高......
[期刊论文] 作者：王艳兵,孙永科,乔永平,张伯蕊,秦国刚,陈文台,龚义元,吴德馨,马振昌,宗婉华,
来源：半导体学报 年份：2000
将 Si、Ge和 Ar三种离子注入到磁控溅射制备的富硅二氧化硅和热生长的二氧化硅中 ,在 N2 气氛中 ,作 550、 650、 750、 850、 950和 1 0 50℃退火后 ,进行电致发光研究 .对...
[会议论文] 作者：王启元[1]林兰英[1]何自强[2]龚义元[2]蔡田海[1]郁元桓[1]何龙珠[2]高秀峰[2]王建华[1]邓惠芳[1],
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
随着集成电路集成度不断提高,主流技术的集成电路已经发展到0.35微米或更小的水平,集成 成电路对硅材料表面晶体完整性、吸杂特性等提出了更高的要求,P/P、N/N结构的硅外延材...
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