CMOS集成电路用Φ6-8英寸外延硅材料

来源 :第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:dlghk
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随着集成电路集成度不断提高,主流技术的集成电路已经发展到0.35微米或更小的水平,集成 成电路对硅材料表面晶体完整性、吸杂特性等提出了更高的要求,P/P<+>、N/N<+>结构的硅外延材料,有效消除了硅抛光片表面的晶体原生缺陷(COPS),并具有高效的吸杂能力,更有利于提高亚微米集成电路的芯片成品率和器件可靠性.本文主要报导了φ6英寸CMOS硅外延材料的研究开发及集成电路应用成果,并对φ8英寸P/P<->硅外延材料进行了初步探索研究.
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