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[学位论文] 作者：龚少康,
来源：武汉理工大学 年份：2020
量子点阻变存储器（QDs RRAM）是一种新兴的非易失性存储器,具有结构简单、开关电压（SET/RESET）低、响应速度快、低功耗等特性,显示出广阔的应用前景。但目前QDs RRAM仍然存在着开关比值低与稳定性不足的缺陷,因此阻变性能的提升与调控是当前研究的重点。基于QDs RRAM......
[期刊论文] 作者：邵雅洁,沈杰,龚少康,陈文,周静,
来源：无机化学学报 年份：2020
采用改进的热分解法制备了具有半导体效应的CuInS2量子点,量子点尺寸均匀、大小为4.2 nm。组装的Au/CuInS2/FTO阻变存储器件表现出典型的双极性阻变特点,其开态电压为-3.8 V,...
[期刊论文] 作者：王志青,陈彬彬,沈杰,陈文,刘曰利,龚少康,周静,
来源：高等学校化学学报 年份：2020
采用热注入法制备了粒径为7.9 nm的Cu12Sb4S13量子点(CAS QDs),并利用旋涂法在室温下制备了结构为FTO/CAS QDs/Au(其中FTO为导电玻璃)的阻变存储器(RRAM).在光照条件下,该三...
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