量子点阻变存储器（QDs RRAM）是一种新兴的非易失性存储器,具有结构简单、开关电压（SET/RESET）低、响应速度快、低功耗等特性,显示出广阔的应用前景。但目前QDs RRAM仍然存在着开关比值低与稳定性不足的缺陷,因此阻变性能的提升与调控是当前研究的重点。基于QDs RRAM的金属/阻变介质层/金属结构,采用有机/无机复合的方式增强其电荷俘获能力,是提升高阻态阻值与开关比值的一种有效方法。此外,利用铁电材料极化电势调节量子点的界面能带结构,是实现对量子点阻变性能有效调控的新思路。二氧化锡量子点（SnO2 QDs）是典型的N型半导体,性质稳定、电子迁移率高并且能带结构可调,是阻变材料的良好选择。本文以SnO2QDs为研究对象,通过引入有机电介质聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）作为电荷阻挡层,以Nb-PZT作为SnO2QDs的表面电势调控层;研究PMMA的引入与铁电极化对于阻变性能的影响规律并分析其相应的阻变机理。主要研究内容与结论如下:（1）通过控制反应温度制备了不同尺寸的SnO2 QDs,研究发现,SnO2 QDs表现出良好的尺寸-开关电压依赖性,随着尺寸增大,SET/RESET电压逐渐减小。3.53 nm SnO2 QDs RRAM具有较小的开关电压（-2.02 V/3.08 V）与较大的开关比值（10~4）。根据电荷传输机制拟合,器件在LRS下表现为欧姆传导;在HRS下由欧姆传导、热电子发射与空间电荷限制电流（SCLC）机制共同作用。基于量子尺寸效应,SnO2QDs与Au电极界面肖特基势垒差异是尺寸-开关电压依赖性的根本原因。（2）将PMMA作为电荷阻挡层与SnO2QDs复合制备了PMMA-SnO2 QDs RRAM,研究PMMA的引入对阻变性能的影响规律。结果表明,随着PMMA厚度的减小,器件开关电压逐渐降低,而开关比值出现先增大后减小的趋势。当PMMA厚度为120 nm时,器件具有最大的开关比值（10~5）与较小的开关电压（-2.12 V/3.30 V）,在10~4次循环读写后性能退化小于5%。此外,介电常数较大的PMMA-SnO2 QDs RRAM表现出较大的开关比值与较小的HRS/LRS电流。PMMA的引入增强了SCLC效应,并且在RESET过程的HRS阶段产生了新的电荷传输机制:Fowler-Nordheim隧穿。其原因是PMMA电介质极化调控SnO2QDs的自由电荷在界面的积累与耗尽,并形成了空间电荷微区所致。（3）采用磁控溅射制备Nb-PZT铁电薄膜,优化溅射工艺参数并自组装了Nb-PZT/SnO2 QDs RRAM。结果表明,铁电极化对SnO2 QDs的阻变性能表现出选择性调控。当Nb-PZT极化电压为正时,Nb-PZT/SnO2 QDs复合薄膜具有较大的开关电压和较小的开关比值;随着极化强度增加,开关电压随之增大,而HRS/LRS电流逐渐减小。在10 V的极化电压下,SET/RESET电压为-7.10 V/7.45V,开关比值约3×10~4。当Nb-PZT极化电压为负时,复合薄膜具有较小的开关电压和较大的开关比值;随着极化强度增大,开关电压逐渐减小,同时HRS/LRS电流增大。在-10 V的极化电压下,SET/RESET电压为-1.20 V/1.46 V,开关比值约8×10~6,在10~4次循环读写后阻变性能变化小于1%,表现出优异的稳定性。Nb-PZT极化电势对于SnO2 QDs界面电荷状态与能带结构的调控是阻变性能差异的根本原因。正向极化下,SnO2 QDs界面电荷耗尽,耗尽区宽度与界面势垒增加,因此开关电压增大;负向极化下,SnO2 QDs界面电荷聚集,耗尽区宽度与界面势垒降低,因此开关电压减小。