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[会议论文] 作者:A.EWING,J.DUNEVALL,S.MAJDI,X.LI,L.REN,D.YE,S.TALEAT,A.LARSSON, 来源:第十六届国际电分析化学国际会议 年份:2017
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[期刊论文] 作者:曲轶,J.X.Zhang,A.Uddin,S.M.Wang,M.Sadeghi,A.Larsson,薄报学,刘国军,姜会林,, 来源:中国科学E辑:技术科学 年份:2006
介绍了利用分子束外延系统生长高应变InGaAs量子阱半导体激光器材料,采用脉冲阳极氧化技术制作脊型波导半导体激光器.4μm条宽脊型波导半导体激光器在室温下单面连续输出功率...
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