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[会议论文] 作者:李顺峰,陈志忠,张国义,Andreas Waag,
来源:第13届全国MOCVD学术会议 年份:2014
过去十年,由于三维GaN纳(微)米柱的优异性质及在纳米光子学和光电子学中的潜在应用,GaN纳米柱的研究引起了广泛的兴趣.对比传统的二维层状GaN结构,三维纳(微)米结构具有很多优点.首先,由于横向的小尺寸效应,生长纳米柱中的线位错密度会大大降低,直至零位错状态.......
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