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[会议论文] 作者：Danilo Crippa,
来源：2011上海半导体材料学术年会 年份：2011
LOW COST HIGH PRODUCTIVITY Seed diameter up to 100mm Temperature: 2000-2400℃ Growth Pressure: 10-400 mbar Carrier Gas: He/H2/Ar-flow: 5slm N-type doping (N2)-f...
[会议论文] 作者：Danilo Crippa,
来源：2011上海半导体材料学术年会 年份：2011
Inventa:R&D Tool Seed diameter up to 100mm Temperature: 2000-2400℃ Growth Pressure: 200-400 mbar Carrier Gas: He/H2/Ar-flow: 5slm Silicon Precursor (SiH4)-flow...
[会议论文] 作者：Danilo Crippa,
来源：2011上海半导体材料学术年会 年份：2011
Batch load Layout Schematics of main groupsSchematics of main groupsGas System Up to 7 gas lines available:· Hydrogen· Argon· Silane· Liquid silicon precurs...
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