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[期刊论文] 作者：E.Colbourne,范新弼,殷新开,杨德新,宁玉田,尹守峻,,
来源：电子计算机动态 年份：1975
4.装配MOS LSI电路在分离器件中出现的所有与装配有关的失误形式,包括接头、管芯接触、密封性、引线的疲劳和封壳中间的问题,同样在LSI器件中也都发生。LSI器件包括有更多的...
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