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[期刊论文] 作者:Ikeda M Uchida S,
来源:发光学报 年份:2001
在ELO-GaN基层上用激光进行条状化处理,可以明显地改善AlGaInN激光二极管的位错密度和界面的粗糙度.其结果是可使激光二极管的寿命,在50℃,30mW输出的连续工作条件下超过1000...
[期刊论文] 作者:Ikeda M,Uchida S,
来源:发光学报 年份:2001
在ELO GaN基层上用激光进行条状化处理 ,可以明显地改善AlGaInN激光二极管的位错密度和界面的粗糙度。其结果是可使激光二极管的寿命 ,在 5 0℃ ,30mW输出的连续工作条件下超...
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