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Reduction of Deep Level Defects in Unintentionally Doped 4H-SiC Homo-epilayers by Ion Implantation
[期刊论文] 作者：JIA Renxu,ZHANG Yuming,ZHANG Yimen, 来源：武汉理工大学学报（材料科学版）（英文版） 年份：2012
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Deep level defects in unintentionally doped 4H-SiC homoepitaxial layer
[期刊论文] 作者：Jia Renxu,Zhang Yimen,Zhang Yuming,Wang Yuehu,Zhang Lin, 来源：城市道桥与防洪 年份：2009
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
Effect of re-oxidation annealing process on the SiO2/SiC interface characteristics
[期刊论文] 作者：Yan Hongli,Jia Renxu,Tang Xiaoyan,Song Qingwen,Zhang Yuming, 来源：城市道桥与防洪 年份：2014
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
Fabrication of a monolithic 4H-SiC junction barrier schottky diode with the capability of high curre
[期刊论文] 作者：SONG QingWen,YUAN Hao,HAN Chao,ZHANG YuMing,TANG XiaoYan,ZHANG YiMeng,GUO Hui,ZHANG YiMen,JIA RenXu,WANG, 来源：Science China(Technological Sciences) 年份：2015
There is a great interest in monolithic 4H-Si C Junction Barrier Schottky(JBS) diodes with the capability of a high forward current for industrial power applica...
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