搜索筛选:
搜索耗时0.0321秒,为你在为你在23,761,000篇论文里面共找到 1 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：Jeffrey FEDISON,,
来源：中国集成电路 年份：2019
传统硅基MOSFET技术日趋成熟,正在接近性能的理论极限。宽带隙半导体的电、热和机械特性更好,能够提高MOSFET的性能,是一项关注度很高的替代技术。...
相关搜索：
