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[期刊论文] 作者：K·Ohata,陈锡君,,
来源：半导体情报 年份：1985
已试制出具有p~+二栅和选择掺杂结构的低噪声AlGaAs/GaAs FET。采用了二维电子气的FET在MBE片上作成紧密间距电极平面结构。给出了0.5μm栅FET的室温性能:跨导为310mS/mm,在1...
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