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[会议论文] 作者：Kewei Cao,Youwen Zhao,Zhiyuan Dong,Feng Hui,曹可慰,赵有文,董志远,惠峰,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
随着高效多结太阳电池制造工艺的日益成熟和商业化应用，对制造电池所用的Ge单晶衬底质量要求日益提高。本文对VGF法生长的4寸Ge单晶衬底进行了电学性能、杂质含量、残余应...
[会议论文] 作者：Kewei Cao,曹可慰,Youwen Zhao,赵有文,Zhiyuan Dong,董志远,Feng Hui,惠峰,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
随着高效多结太阳电池制造工艺的日益成熟和商业化应用，对制造电池所用的Ge单晶衬底质量要求日益提高。本文对VGF法生长的4寸Ge单晶衬底进行了电学性能、杂质含量、残余应力以及晶格完整性等检测分析，并与LEC法生长的低位错Ge单晶衬底的结果进行了比较，分析了4寸Ge......
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