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随着高效多结太阳电池制造工艺的日益成熟和商业化应用，对制造电池所用的Ge单晶衬底质量要求日益提高。本文对VGF法生长的4寸Ge单晶衬底进行了电学性能、杂质含量、残余应力以及晶格完整性等检测分析，并与LEC法生长的低位错Ge单晶衬底的结果进行了比较，分析了4寸Ge单晶衬底缺陷等对多结电池性能的影响作用。讨论了改进单晶生长工艺，提高Ge衬底晶体质量、降低缺陷密度、进而提高多结太阳电池的转换效率和成品率的技术途径。