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[会议论文] 作者：G.Badawy,M.Asad,H.Zhao Terneh(a)ll,M.Sadeghi,S.Wang,
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
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[会议论文] 作者：M.Asad,G.Badawy,H.Zhao Terneh(a)ll,M.Sadeghi,S.Wang,
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
Ⅲ-Ⅴ semiconductor nanowire(NW)-offers unique electrical and optical properties therefore viable for the next generation high speed electronics,optoelectronics,biosensing,energy storage devices,etc [1,...
[期刊论文] 作者：曲轶,J.X.Zhang,A.Uddin,S.M.Wang,M.Sadeghi,A.Larsson,薄报学,刘国军,姜会林,,
来源：中国科学E辑:技术科学 年份：2006
介绍了利用分子束外延系统生长高应变InGaAs量子阱半导体激光器材料,采用脉冲阳极氧化技术制作脊型波导半导体激光器.4μm条宽脊型波导半导体激光器在室温下单面连续输出功率...
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