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[期刊论文] 作者：R. J. Trew,丁奎章,,
来源：半导体情报 年份：1986
从理论上研究了凹槽栅GaAs离子注入MESFET的噪声和RF性能随不同掺杂分布的变化关系。考虑了注入能量、剂量以及不同的深能级密度的影响。指出了器件的性能随深能级密度的增加...
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