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Hole-doping and pressure effects on the Ⅱ-Ⅱ-Ⅴ based diluted magnetic semiconductor (Ba1-xKx)(Zn1-yMn
[会议论文] 作者：F.Sun,G.Q.Zhao,C.A.Escanhoela Jr,B.J.Chen,R.H.Kou,Y.G.Wang,Y.M.Xiao,P.Chow,H.K.Mao,D.Haskel,W.G.Yang,,
来源：中国晶体学会第六届学术年会暨会员代表大会 年份：2016
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