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[期刊论文] 作者：Robert A.Pucel,赵克俊,,
来源：半导体情报 年份：1978
一、引言砷化镓肖特基势垒场效应晶体管是在X波段和更高频率上显示线性功率放大性能的第一个三端固体器件。它的独特的信号处理能力和低噪声特性已为许多工作者所证明。例如...
[期刊论文] 作者：Robert A.Pucel,赵克俊,,
来源：半导体情报 年份：2004
已经证明高频砷化镓场效应晶体管(GaAsFET)在微波频率下有非常低的噪声系数和高的功率增益。因此对通信和雷达应用的低噪声放大器和接收机来说它们是优秀的候选者。例如,在...
[期刊论文] 作者：Robert A.Pucel,曹余录,,
来源：半导体情报 年份：1978
提出了砷化镓金属-半导体场效应晶体管(GaAs MESFET)混频器的信号特性的理论分析和实验证明。描述了估计某些混频器参数的实验技术。在X波段下,对砷化镓MESFET混频器进行的实...
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