【摘 要】
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提出了砷化镓金属-半导体场效应晶体管(GaAs MESFET)混频器的信号特性的理论分析和实验证明。描述了估计某些混频器参数的实验技术。在X波段下,对砷化镓MESFET混频器进行的实
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提出了砷化镓金属-半导体场效应晶体管(GaAs MESFET)混频器的信号特性的理论分析和实验证明。描述了估计某些混频器参数的实验技术。在X波段下,对砷化镓MESFET混频器进行的实验表明:它有良好的噪声性能,并可得到大的动态范围以及变频增益。在7.8千兆赫下测得变频增益大于6分贝。在8千兆赫下,平衡的MESFET混频器的噪声系数低至7.4分贝,输出三阶互调截止点为+18分贝毫瓦。
A theoretical analysis and experimental proof of the signal characteristics of a GaAs MESFET mixer are presented. Describes experimental techniques for estimating certain mixer parameters. Experiments on a gallium arsenide MESFET mixer at X band show that it has good noise performance and achieves large dynamic range and variable frequency gain. Measured at 7.8 GHz frequency conversion gain greater than 6 dB. The balanced MESFET mixer has a noise figure as low as 7.4 dB at 8 GHz and a third order intercept cutoff of +18 dBm.
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