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[期刊论文] 作者:Lili Ding,Simone Gerardin,Marta Bagatin,Dario Bisello,Serena Mattiazzo,Alessandro Paccagnella,
来源:中国物理B(英文版) 年份:2016
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[期刊论文] 作者:丁李利,Simone Gerardin,Marta Bagatin,Dario Bisello,Serena Mattiazzo,Alessandro Paccagnella,,
来源:Chinese Physics B 年份:2016
The total ionizing dose(TID) response of 65-nm CMOS transistors is studied by 10-ke V x-ray and 3-Me V protons up to 1 Grad(SiO_2) total dose.The degradation le...
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