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[期刊论文] 作者：TONG Jin-Hui,ZHAO Bi-Jun,REN Zhi-Wei,WANG Xing-Fu,CHEN Xin,LI Shu-Ti,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2013
A three-layer p-type Al0.82In0.18N-GaN-Al0.82In0.18N electron blocking layer (EBL) is designed to replace the original p-type A1GaN EBL in blue light emitting d...
[期刊论文] 作者：Zhuo Xiang-Jing,Zhang Jun,Li Dan-Wei,Yi Han-Xiang,Ren Zhi-Wei,Tong Jin-Hui,Wang Xing-Fu,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2014
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,Efficiency and droop improvement in a blue InGaN-based light emitting diode with a p-InGaN layer in
[期刊论文] 作者：Wang Xing-Fu,Tong Jin-Hui,Zhao Bi-Jun,Chen Xin,Ren Zhi-Wei,Li Dan-Wei,Zhuo Xiang-Jing,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2013
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[期刊论文] 作者：Chen Xin,Zhao Bi-Jun,Ren Zhi-Wei,Tong Jin-Hui,Wang Xing-Fu,Zhuo Xiang-Jing,Zhang Jun,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2013
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[期刊论文] 作者：Zhao Bi-Jun,Chen Xin,Ren Zhi-Wei,Tong Jin-Hui,Wang Xing-Fu,Li Dan-Wei,Zhuo Xiang-Jing,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2013
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[期刊论文] 作者：Tong Jin-Hui,Zhao Bi-Jun,Wang Xing-Fu,Chen Xin,Ren Zhi-Wei,Li Dan-Wei,Zhuo Xiang-Jing,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2013
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,Efficiency enhancement of InGaN based blue light emitting diodes with InGaN/GaN multilayer barriers
[期刊论文] 作者：Tong Jin-Hui,Li Shu-Ti,Lu Tai-Ping,Liu Chao,Wang Hai-Long,Wu Le-Juan,Zhao Bi-Jun,Wang Xing-Fu,Chen Xin,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2012
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