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Voltage-Controlled Bistable Resistive Switching Behavior Based on Ni0.5Zn0.5Fe2O4/BiFeO3/Nb:SrTiO3 H
[会议论文] 作者：Lei Wu,Changjun Jiang,Desheng Xue,
来源：中国物理学会2015年秋季会议 年份：2015
Resistive random accessmemory(RRAM)basedon resistive switching effectsis one of the mostpromising candidates for future nonvolatile memory devicesbecause of...
Voltage-Controlled Bistable Resistive Switching Behavior Based on Ni0.5Zn0.5Fe2O4/BiFeO3/Nb:SrTiO3 H
[会议论文] 作者：Lei Wu,Changjun Jiang,Desheng Xue,
来源：中国物理学会2015年秋季会议 年份：2015
Resistive random accessmemory(RRAM)basedon resistive switching effectsis one of the mostpromising candidates for future nonvolatile memory devicesbecause of its high scalability,capacitor-like cell st...
[会议论文] 作者：Hu Jie,Li Xin,Wu Changjun,Yang Changju,
来源：第二届植物-生物互作国际会议 年份：2011
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RID1,encoding a Cys2/His2-type zinc finger transcription factor,acts as a master switch from vegetat
[会议论文] 作者：Changyin Wu,Changjun You,Caishun Li,Tuan Long,Guoxing Chen,Qifa Zhang,Mary E.Byrne,
来源：第九届全国植物基因组学大会 年份：2008
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RID1,encoding a Cys2His2-type zinc finger transcription factor,acts as a master switch from vegetati
[会议论文] 作者：Changyin Wu,Changjun You,Caishun Li,Tuan Long,Guoxing Chen,Mary E.Byrne,Qifa Zhang,
来源：第九届全国植物基因组学大会 年份：2008
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[期刊论文] 作者：TU Hao,WEI Dasheng,ZHOU Shengjie,LIU Ya,WU Changjun,WANG Jianhua,SU Xuping,
来源：武汉理工大学学报（材料科学版）（英文版） 年份：2019
The effects of Mg on the microstructure and growth kinetics of the hot-dip Zn-22.3Al-1.1Si-x Mg (x = 0, 0.2, 0.4, and 0.6) coatings were investigated in detail. Scanning electron microscopy with energy dispersive spectroscopy and X-ray diff......
[会议论文] 作者：YinLi,Huang Jianfeng,尹力,黄剑峰,Su Xuping,TU Hao,Liu Ya,Wu Changjun,苏旭平,涂浩,刘亚,吴长军,Wang Jianhua,王建华,
来源：第十六届全国相图学术会议暨相图与材料设计国际研讨会 年份：2012
本工作采用平衡合金法，利用扫描电镜与能谱仪(SEM-EDS)和X射线衍射仪(XRD)等手段实验测定了Zn-Al-Ti三元系富锌铝边370℃等温截面的相关系。...
[会议论文] 作者：YinLi,尹力,Huang Jianfeng,黄剑峰,Su Xuping,苏旭平,Wang Jianhua,王建华,TU Hao,涂浩,Liu Ya,刘亚,Wu Changjun,吴长军,
来源：第十六届全国相图学术会议暨相图与材料设计国际研讨会 年份：2012
本工作采用平衡合金法，利用扫描电镜与能谱仪(SEM-EDS)和X射线衍射仪(XRD)等手段实验测定了Zn-Al-Ti三元系富锌铝边370℃等温截面的相关系。...
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