在284K~455K温度范围内,对未掺杂半绝缘LECGAAS样品进行了霍尔一范德堡测量.根据实验数据计算了费米能级和深施主缺陷EL2电离率的......

在２８４￣４５５Ｋ温度范围内，对未掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡｓ样品进行了霍尔－范德堡测量。根据实验数据计算了费米能级和深施主缺陷ＥＬ２电离率的温度关系。发现计算结果......