Ⅲ-Ⅴ族化合物相关论文
对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体GaxIn1-xP材料的性质、应用和外延工艺的发展进行了简单阐述，重点介绍了GaxIn1-xP材料的氢化物气相外延（HVPE）......
建立Ⅲ-Ⅴ族三元化合物半导体材料的分子束外延生长热力学模型。该模型与实验材料InGaP/GaAs,InGaAs/InP及已发表的GaAsP/GaAs,InA......
用湿法腐蚀制作DFB激光器中的光栅有很多缺点。作者采用CH4/H_2的反应离子腐蚀技术制作InP和InGaAsP光栅。适当控制腐蚀过程中的淀......
硅基光电集成技术作为实现未来超高速超低损耗光互连技术的重要基础，其已成为当前信息技术发展的重要前沿研究领域，而目前实现硅基光......
近50年来，基于硅基半导体的集成电路的性能以指数速度快速发展。但是在实际的加工过程中，硅基晶体管的尺寸在物理上已经达到了它的极......
该文主要通过同步辐射光电子能谱及其它辅助分析手段如扫描电镜、俄歇电子能谱和光致荧光谱(PL)等对硫钝化Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体表......
立方氮化硼(c-BN)是一种人工合成的宽带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,它有许多优异的物理化学性质,如仅次于金刚石的硬度、高温下强......
本文应用格林函数方法计算氢在一组Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体上的化学吸附能（ΔＥ）和衬底向吸附原子的电荷转移（Δｑ）。半导体衬底用一维半无限ｓｐ轨......
采用一种修正的晶体场理论方法研究了３ｄ＾７离子在Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体中的光谱和ＥＰＲ谱ｇ因子。此方法考虑了ｄ＾７离子ｄ电子与配体混合而导致ｄ轨道中ｅ和......
LED即Light Emitting Diode（发光二极管）,是一种由Ⅲ-Ⅴ族化合物无机材料加工而成的固态半导体器件,通过PN结间的电子、空穴复合释放......
本文概述了常规耗尽层 C-V 分布中,可达深度和深度分辨率的基本限制。特别讨论了电化学 C-V 分布的实际技术和应用。列举了 PN4200......
建立Ⅲ-Ⅴ族三元化合物半导体材料的分子束外延生长热力学模型。该模型与实验材料InGaP/GaAs,InGaAs/InP及已发表的GaAsP/GaAs,InA......
晶片直接键合技术是材料集成的一项新工艺,是近年来集成光电子领域的研究热点之一.利用键合技术可以集成晶格或晶向失配的材料,制......
赵有文，1999年获得博士学位。2000～2002年在中国科学院半导体研究所完成博士后研究工作。目前主要从事磷化铟、锑化镓、砷化镓等Ⅲ-......
金属有机化学气相淀积用于制备掺Ｅｒ的Ｉｎ１ｘＧａｘＰ外延层。低温下，研究了温度与光致发光性质的关系作为合金成分的函数，其中合金成分为ｘ＝０－０．９８，发现所有掺Ｅｒ的......
日本夏普株式会社在2008国际太阳能电池展上展出了一款跟踪聚光装置。该装置的核心技术是基于三层构造Ⅲ-Ⅴ族化合物的三重结太阳......
低维半导体材料特别是Ⅲ -Ⅴ族化合物低维半导体材料日益受到人们的重视和深入的研究。文章回顾和评述了近几年Ⅲ -Ⅴ族化合物低维......
本文分析介绍了Ⅲ－Ⅴ族化合物砷化镓，氮化镓，锑化镓的特性，生长方法，国内外研究水平有应用。......
美国普渡大学和哈佛大学的科学家使用Ⅲ-Ⅴ族化合物砷化镓铟代替硅,研制出全球首款全门三维晶体管,可用于开发出运行速度更快、更......
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本学位论文围绕量子级联激光器（QCL）的材料生长、特性和气态源分子束外延（GSMBE）技术为主线展开。本文针对量子级联激光器对InP基、GaA......
基于Ⅲ-Ⅴ族材料制备的多结太阳电池由于优越的性能,在空间电源领域和地面聚光方面的应用越来越受到重视。介绍了多结太阳电池的高......
低维半导体材料特别是Ⅲ -Ⅴ族化合物低维半导体材料日益受到人们的重视和深入的研究。文章回顾和评述了近几年Ⅲ -Ⅴ族化合物低维......
